南昌大学成功研制高内量子硅衬底技术 打破日美垄断局面

　　2月22日，笔者从2017年江西省教育工作会议上获悉，为表彰南昌大学江风益教授研究团队做出的杰出贡献，该省决定对江风益教授研究团队特别奖励1000万元，用于团队的人才培养、学科建设、科技创新、对外交流合作及条件建设。

　　据介绍，南昌大学江风益教授研究团队“十九年磨一剑”，经过3000多次实验，在国际上率先研制成功高内量子效率硅衬底蓝光LED外延材料和高取光效率高可靠性单面出光蓝光LED芯片，并率先实现了产业化，打破了日美等国在该领域的技术垄断。

　　江风益教授研究团队的“硅衬底高效GaN基蓝色发光二极管”项目荣获2015年度全国唯一一项国家技术发明一等奖，实现了江西省在该项奖励“零”的突破。

　　据了解，此项重奖系江西省委教育工委、省教育厅与省财政厅联合向省政府请求同意。旨在“保持LED研究领先优势，推动‘南昌光谷’建设和我省LED产业发展，进一步激发全省高校科技人员创新活力。”

　　得益于“硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管”项目的成功，江西省已描绘出LED产业发展“路线图”：到2020年，全省LED产业主营收入要超过1000亿元，把江西建设成为具有国际核心竞争力的LED全产业链研发、制造和应用基地，将南昌打造成全国的LED“光谷”。

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