我国首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功

日前，我国第1款具有自主知识产权的相变存储器芯片研制成功，打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面，产业化前景可观。

据介绍，相比于传统存储器利用电荷形式进行存储，相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储，被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。

相关专家表示，我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元，但由于长期缺乏拥有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极为高昂。上述相变存储器自主研制成功，使我国的存储器芯片生产有望真正摆脱国外的技术垄断。

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