多晶黑硅太阳能电池研究方面取得重要突破

　　日前，中科院微电子研究所在多晶黑硅太阳能电池研究方面取得重要突破。

　　微电子所微电子设备研究室研究团队原创性地提出利用等离子体浸没离子注入技术制备黑硅材料。该团队利用自行研制的等离子体浸没离子注入机制备了多种微观结构的黑硅材料，在可见光波段黑硅的平均反射率为0.5%。该工艺适应大批量制备，成本低，生产效率高。

　　通过对黑硅结构进行优化，对生产线电池配套工艺进行改进，在全国产设备生产线研发出多晶黑硅太阳能电池156mm×156mm，多晶，批量平均效率高达17.46%。

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