我国最新一代集成电路制造工艺研发取得突破性进展

　　近年来，我们使用的电脑、手机等速度更快、耗电更省、成本更低，这有赖于集成电路制造工艺的不断进步。记者近日从中国科学院微电子研究所获悉，该所集成电路先导工艺研发中心在22纳米技术代集成电路关键技术研发上取得突破性进展，掌握这种最先进的集成电路制造工艺将有利于提升我国自主生产制造更加质优价廉的集成电路产品的能力。

　　22纳米技术代集成电路技术是全球正在研发的最新一代集成电路制造工艺，各国都投入了巨大资金，谁先把这种技术开发出来，谁就能降低集成电路产品的成本，抢占市场先机。多年来，我国的集成电路制造工艺大多是在引进国外知识产权基础上进行产品工艺开发，在全球产业链最先进工艺的开发上缺少布局和话语权。2009年，我国在国家科技重大专项的支持下开始22纳米技术代集成电路关键技术研发工作，经过3年多努力取得突破性进展。

　　据介绍，22纳米约相当于普通成年人头发丝直径的2300分之一，采用 22纳米集成电路技术可以在一根头发丝的横截面上集成大约1000万个晶体管，从而使集成电路产品的功能更多样化，速度更快，成本更低。研究人员摒弃了传统的二氧化硅、多晶硅等材料，采用了高K材料、金属栅材料等新材料新工艺，研制出了性能良好的器件，技术水平达到国内领先、世界一流。

　　研发过程中，中国科学院与北京大学、清华大学、复旦大学的联合项目组完成了1369项专利申请，其中包括424项国际专利申请，为我国在集成电路领域掌握自主知识产权，取得国际话语权奠定了基础。该成果的取得也为我国继续自主研发更先进的16纳米及以下技术代的关键工艺提供了必要的技术支撑。（吴晶晶）

来源：新华网

　　版权及免责声明：凡本网所属版权作品，转载时须获得授权并注明来源“中国产业经济信息网”，违者本网将保留追究其相关法律责任的权力。凡转载文章，不代表本网观点和立场。版权事宜请联系：010-65363056。

延伸阅读